CrystalDiskInfoやCrystalDiskMarkなどCrystal Dew World製品に関する総合掲示板です。
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CrystalSSDMark 1.0.0 Beta1 について 金華山の仙人 17/10/31(火) 21:26 |
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HMBは、意図せぬ電源断にどれ程弱い？ 金華山の仙人 17/12/11(月) 9:01 |
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Re:HMBは、意図せぬ電源断にどれ程弱い？ 金華山の仙人 17/12/11(月) 9:26 |
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Phison E8T も（一応？）HMB対応でした。m(_ _)m 金華山の仙人 17/12/11(月) 9:43 |
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Re:HMBは、意図せぬ電源断にどれ程弱い？ marosama 17/12/12(火) 3:17 |
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Re:HMBは、意図せぬ電源断にどれ程弱い？ 金華山の仙人 17/12/12(火) 16:59 |
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Re:HMBは、意図せぬ電源断にどれ程弱い？ marosama 17/12/12(火) 22:06 |
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金華山の仙人 - 17/12/11(月) 9:01 - |
▼hiyohiyoさん：
▼marosamaさん：
お二方とも返答有難う御座います。
>>コンシューマ向けには、HBM（Host Memory Buffer）対応
>>のNVMe SSDが控えていますし、まだまだ、低価格化に走っ
>>ていきますよ（笑）
>Host Memory Buffer なんて機能があるのですね。
>低価格化がどんどん進んで SATA SSD を駆逐していただけるとありがたいのですが・・・。
話が横道にそれますが(^^;)、通常のDRAMレスなSSDコントローラだと、ランダム4Kreadが覿面に低下するので、NVMeの速度を利用して外部にDRAMを確保して、コストダウンする手法みたいですね。
当然ながら突然の電源断における、書込み中のDataの損失や、もしかしたらData破損のリスクが、内部DRAMより高まる気がしますがどうなんでしょうね。
まあ内部DRAMでもDC向けとかの様に、内部電池orコンデンサ搭載してないコンシューマ向けでは、結局データ損失＆破壊のリスクは有るでしょうから、HMBは単純にリスクが増大するだけで、ユーザーが特別に意識する程の格差は無い様な気はしますが。
>>なお、HBMは、Windowsとかすでに対応済みですし、販売さ
>>れれば、HBM対応SSDもすぐに使えます。
>>HBMは、レジストリでオフにすることもできるので、オンの
>>場合とオフの場合で効果がどのぐらいあるのかみることもで
>>きます。
>評価用に一枚ぐらいは買ってもよさそうですねぇ。
HMBのデメリットは、恐らくレイテンシの増大なので、内部DRAM有り品と比較した時の、CDMの手段で測定する速度成績には、あまり影響しない気がします。
◇
因みに、MarvellはHMB対応品を大分前から品揃えしてますね。
http://www.marvell.com/storage/ssd/88NV11XX/
→ 88NV1140/88NV1160（28nmプロセス）
あとSMIもSM2263XT（HMB対応）を暫く前に登場させてます。
（ランダムWriteは、HMBの有無では変化無しですが、ランダムReadは倍増してます。）
ニュース
2017/08/08
Silicon Motion Expands its portfolio of PCIe NVMe SSD controller solutions at the 2017 Flash Memory Summit
http://jp.siliconmotion.com/A6.1.Detail_News.php?sn=208
尚、PhisonにもDRAMレスなE8Tコンが有りますが、説明を見てもHMB対応かどうか、の記載を見つけられずにいます。
http://www.phison.com/Japan/newProductView.asp?ID=260&SortID=63
ただDRAM有りなE8コンより、ランダム性能がほぼ半減してるのと、製造プロセスが40nmと、太めで旧そう（S10コンと同じ）なところからして、HMB対応してなさそうな気がします。
▼marosamaさん：
お二方とも返答有難う御座います。
>>コンシューマ向けには、HBM（Host Memory Buffer）対応
>>のNVMe SSDが控えていますし、まだまだ、低価格化に走っ
>>ていきますよ（笑）
>Host Memory Buffer なんて機能があるのですね。
>低価格化がどんどん進んで SATA SSD を駆逐していただけるとありがたいのですが・・・。
話が横道にそれますが(^^;)、通常のDRAMレスなSSDコントローラだと、ランダム4Kreadが覿面に低下するので、NVMeの速度を利用して外部にDRAMを確保して、コストダウンする手法みたいですね。
当然ながら突然の電源断における、書込み中のDataの損失や、もしかしたらData破損のリスクが、内部DRAMより高まる気がしますがどうなんでしょうね。
まあ内部DRAMでもDC向けとかの様に、内部電池orコンデンサ搭載してないコンシューマ向けでは、結局データ損失＆破壊のリスクは有るでしょうから、HMBは単純にリスクが増大するだけで、ユーザーが特別に意識する程の格差は無い様な気はしますが。
>>なお、HBMは、Windowsとかすでに対応済みですし、販売さ
>>れれば、HBM対応SSDもすぐに使えます。
>>HBMは、レジストリでオフにすることもできるので、オンの
>>場合とオフの場合で効果がどのぐらいあるのかみることもで
>>きます。
>評価用に一枚ぐらいは買ってもよさそうですねぇ。
HMBのデメリットは、恐らくレイテンシの増大なので、内部DRAM有り品と比較した時の、CDMの手段で測定する速度成績には、あまり影響しない気がします。
◇
因みに、MarvellはHMB対応品を大分前から品揃えしてますね。
http://www.marvell.com/storage/ssd/88NV11XX/
→ 88NV1140/88NV1160（28nmプロセス）
あとSMIもSM2263XT（HMB対応）を暫く前に登場させてます。
（ランダムWriteは、HMBの有無では変化無しですが、ランダムReadは倍増してます。）
ニュース
2017/08/08
Silicon Motion Expands its portfolio of PCIe NVMe SSD controller solutions at the 2017 Flash Memory Summit
http://jp.siliconmotion.com/A6.1.Detail_News.php?sn=208
尚、PhisonにもDRAMレスなE8Tコンが有りますが、説明を見てもHMB対応かどうか、の記載を見つけられずにいます。
http://www.phison.com/Japan/newProductView.asp?ID=260&SortID=63
ただDRAM有りなE8コンより、ランダム性能がほぼ半減してるのと、製造プロセスが40nmと、太めで旧そう（S10コンと同じ）なところからして、HMB対応してなさそうな気がします。
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金華山の仙人 - 17/12/11(月) 9:26 - |
補足：
WindowsがHMBを何時からサポートしてるか、は分かりかねますが、下記の表を見ると規格上は「NVMe1.2」で対応してますね。
http://image.itmedia.co.jp/l/im/ee/articles/1708/16/l_mm180716_nand4.jpg
MBのスペックやNVMeドライバの仕様等を、NVMe1.2対応かどうかチェックすると、自分のPCで使えるかどうかが分かりそうです。
尤も、商品として売り出された場合に、ある程度しっかり明記するでしょうから、慌てる必要は無いでしょうが。
P.S
あとE8Tコンにしても、もしかしたらHMB対応はFirmware依存かも知れない（特別なハードが必要な気がしない）ので、今後に期待かも？
WindowsがHMBを何時からサポートしてるか、は分かりかねますが、下記の表を見ると規格上は「NVMe1.2」で対応してますね。
http://image.itmedia.co.jp/l/im/ee/articles/1708/16/l_mm180716_nand4.jpg
MBのスペックやNVMeドライバの仕様等を、NVMe1.2対応かどうかチェックすると、自分のPCで使えるかどうかが分かりそうです。
尤も、商品として売り出された場合に、ある程度しっかり明記するでしょうから、慌てる必要は無いでしょうが。
P.S
あとE8Tコンにしても、もしかしたらHMB対応はFirmware依存かも知れない（特別なハードが必要な気がしない）ので、今後に期待かも？
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金華山の仙人 - 17/12/11(月) 9:43 - |
>P.S
>あとE8Tコンにしても、もしかしたらHMB対応はFirmware依存かも知れない（特別なハードが必要な気がしない）ので、今後に期待かも？
おっとE8Tの仕様頁を良く見ると、下から４行目に記載が有りました。
（やっぱりFirmware依存だったか？）
http://www.phison.com/Japan/newProductView.asp?ID=260&SortID=63
｜> Host Memry Buffer
ただランダム性能のスペックに、HMB利用の有無が書かれてないところに、Firmwareの開発が進んで無いっぽい感じがしますが。(^^;
◇
あとSMIもMarvellも、対応規格が「NVMe1.3」と明記されてるので、どうやら最新PCでないと利用は難しそうですね。
逆に上記のE8Tのスペックだと、今のところ「NVMe1.2」対応になってるので、大丈夫そうですが、Firmwareの開発進展次第で、果たしてどうなるやらですし。
>あとE8Tコンにしても、もしかしたらHMB対応はFirmware依存かも知れない（特別なハードが必要な気がしない）ので、今後に期待かも？
おっとE8Tの仕様頁を良く見ると、下から４行目に記載が有りました。
（やっぱりFirmware依存だったか？）
http://www.phison.com/Japan/newProductView.asp?ID=260&SortID=63
｜> Host Memry Buffer
ただランダム性能のスペックに、HMB利用の有無が書かれてないところに、Firmwareの開発が進んで無いっぽい感じがしますが。(^^;
◇
あとSMIもMarvellも、対応規格が「NVMe1.3」と明記されてるので、どうやら最新PCでないと利用は難しそうですね。
逆に上記のE8Tのスペックだと、今のところ「NVMe1.2」対応になってるので、大丈夫そうですが、Firmwareの開発進展次第で、果たしてどうなるやらですし。
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marosama - 17/12/12(火) 3:17 - |
▼金華山の仙人さん：
>▼hiyohiyoさん：
>▼marosamaさん：
>話が横道にそれますが(^^;)、通常のDRAMレスなSSDコントローラだと、ラン
>ダム4Kreadが覿面に低下するので、NVMeの速度を利用して外部にDRAMを確保
>して、コストダウンする手法みたいですね。
>当然ながら突然の電源断における、書込み中のDataの損失や、もしかしたら
>Data破損のリスクが、内部DRAMより高まる気がしますがどうなんでしょうね。
HMB（レスで綴り間違えてましたよね。すみません。年ですね）の場合、
ルックアップテーブルをメモリにロードするだけなので、まあ、そんな
に大きな問題とはならないと思いますよ。
書き込みの場合は、データをNANDにライトして、それからNAND上のルックア
ップテーブルを修正し、その後、HMBに修正を反映して完了という手順になり
ます。つまり、DRAMが載っている今のSSDと比較しても、ルックアップテーブ
ルがどこにロードされているかの違いでしかありません。
コントローラーダイレクトなDRAMか、メインメモリーかですね。
NAND上のルックアップテーブルを修正しているときに電源が落ちた場合の危
険度にはおおきな違いがありませんので、信頼性にそれほど大きな違いがあ
るとは思えません。
>HMBのデメリットは、恐らくレイテンシの増大なので、内部DRAM有り品と比
>？較した時の、CDMの手段で測定する速度成績には、あまり影響しない気が
>します。
そんなことはないですよ。
HMBでライトが2割ほど早くなるようです。リードはそれほどではないのが
若干気にかかりますが、計測範囲のアドレスを広く取って、ベンチをす
れば、もう少しぐらいは効果があがるかもしれません。
これをこんなにと考えるか、たったと考えるかは人それぞれだと思います。
コントローラーダイレクトなDRAMよりもレイテンシは高いですが、ルック
アップテーブルをメモリ上に置くメリットは確かにあります。少なくとも
容量が大きくなるほど、NANDにダイレクトにアクセスするよりはレイテン
シが短くなると思います。
>▼hiyohiyoさん：
>▼marosamaさん：
>話が横道にそれますが(^^;)、通常のDRAMレスなSSDコントローラだと、ラン
>ダム4Kreadが覿面に低下するので、NVMeの速度を利用して外部にDRAMを確保
>して、コストダウンする手法みたいですね。
>当然ながら突然の電源断における、書込み中のDataの損失や、もしかしたら
>Data破損のリスクが、内部DRAMより高まる気がしますがどうなんでしょうね。
HMB（レスで綴り間違えてましたよね。すみません。年ですね）の場合、
ルックアップテーブルをメモリにロードするだけなので、まあ、そんな
に大きな問題とはならないと思いますよ。
書き込みの場合は、データをNANDにライトして、それからNAND上のルックア
ップテーブルを修正し、その後、HMBに修正を反映して完了という手順になり
ます。つまり、DRAMが載っている今のSSDと比較しても、ルックアップテーブ
ルがどこにロードされているかの違いでしかありません。
コントローラーダイレクトなDRAMか、メインメモリーかですね。
NAND上のルックアップテーブルを修正しているときに電源が落ちた場合の危
険度にはおおきな違いがありませんので、信頼性にそれほど大きな違いがあ
るとは思えません。
>HMBのデメリットは、恐らくレイテンシの増大なので、内部DRAM有り品と比
>？較した時の、CDMの手段で測定する速度成績には、あまり影響しない気が
>します。
そんなことはないですよ。
HMBでライトが2割ほど早くなるようです。リードはそれほどではないのが
若干気にかかりますが、計測範囲のアドレスを広く取って、ベンチをす
れば、もう少しぐらいは効果があがるかもしれません。
これをこんなにと考えるか、たったと考えるかは人それぞれだと思います。
コントローラーダイレクトなDRAMよりもレイテンシは高いですが、ルック
アップテーブルをメモリ上に置くメリットは確かにあります。少なくとも
容量が大きくなるほど、NANDにダイレクトにアクセスするよりはレイテン
シが短くなると思います。
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金華山の仙人 - 17/12/12(火) 16:59 - |
▼marosamaさん：
返信有難う御座います。
>NAND上のルックアップテーブルを修正しているときに電源が落ちた場合の危
>険度にはおおきな違いがありませんので、信頼性にそれほど大きな違いがあ
>るとは思えません。
なるほど。
>そんなことはないですよ。
>HMBでライトが2割ほど早くなるようです。リードはそれほどではないのが
>若干気にかかりますが、計測範囲のアドレスを広く取って、ベンチをす
>れば、もう少しぐらいは効果があがるかもしれません。
>これをこんなにと考えるか、たったと考えるかは人それぞれだと思います。
>コントローラーダイレクトなDRAMよりもレイテンシは高いですが、ルック
>アップテーブルをメモリ上に置くメリットは確かにあります。少なくとも
>容量が大きくなるほど、NANDにダイレクトにアクセスするよりはレイテン
>シが短くなると思います。
レイテンシ増大はあっても、DRAM容量に制限が無くて大幅に増やせるから、性能アップに繋がる、という事ですね。
確かにSATA品でもDRAM容量を倍増してWrite性能アップを図った製品は、プレクやサムスンの常套手段ですが、大抵は120〜250GB迄で500GB以上だと効果が薄いせいか、DRAM倍増品は無い様です。
だからルックアップテーブル容量が、其処まで大きくなる程の大転送が現実には少なそうなので、実メリットは少ないかも、ですね。(^^;
どっちかと言うとカタログスペックを見る限りは、ランダムRead性能は内部DRAM品より少し劣ってますし。
あとPC起動時に、外部DRAM確保とかで手間が増えそうなので、起動時間はやや伸びるかもですし。
返信有難う御座います。
>NAND上のルックアップテーブルを修正しているときに電源が落ちた場合の危
>険度にはおおきな違いがありませんので、信頼性にそれほど大きな違いがあ
>るとは思えません。
なるほど。
>そんなことはないですよ。
>HMBでライトが2割ほど早くなるようです。リードはそれほどではないのが
>若干気にかかりますが、計測範囲のアドレスを広く取って、ベンチをす
>れば、もう少しぐらいは効果があがるかもしれません。
>これをこんなにと考えるか、たったと考えるかは人それぞれだと思います。
>コントローラーダイレクトなDRAMよりもレイテンシは高いですが、ルック
>アップテーブルをメモリ上に置くメリットは確かにあります。少なくとも
>容量が大きくなるほど、NANDにダイレクトにアクセスするよりはレイテン
>シが短くなると思います。
レイテンシ増大はあっても、DRAM容量に制限が無くて大幅に増やせるから、性能アップに繋がる、という事ですね。
確かにSATA品でもDRAM容量を倍増してWrite性能アップを図った製品は、プレクやサムスンの常套手段ですが、大抵は120〜250GB迄で500GB以上だと効果が薄いせいか、DRAM倍増品は無い様です。
だからルックアップテーブル容量が、其処まで大きくなる程の大転送が現実には少なそうなので、実メリットは少ないかも、ですね。(^^;
どっちかと言うとカタログスペックを見る限りは、ランダムRead性能は内部DRAM品より少し劣ってますし。
あとPC起動時に、外部DRAM確保とかで手間が増えそうなので、起動時間はやや伸びるかもですし。
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marosama - 17/12/12(火) 22:06 - |
▼金華山の仙人さん：
>レイテンシ増大はあっても、DRAM容量に制限が無くて大幅に増やせるから、
>性能アップに繋がる、という事ですね。
若干、意味が違うように取られていると思われるので、補足いたします。
SSDの容量が増えると、管理しなければならないアドレスが増え、論理ア
ドレス（LBA）と物理アドレス（PBA）の対応に利用するテーブル（ルック
アップテーブル）の容量が大きくなります。
ルックアップテーブルが肥大化すると、LBAとPBAの変換のレイテンシが大
きくなることは推測できると思います。
DRAMは、通常、LBAとPBAの変換のレイテンシを減らすために利用されており、
変換に必要なルックアップテーブルをロードしているわけですが、DRAMレス
コントローラーの場合、これができません。そのため、コントローラー内に
小容量のSRAMを用意しておき、そこにルックアップテーブルの一部をキャッ
シュしたりしていますが、SRAMに必要なデータがない場合は、NANDに記録さ
れているルックアップテーブルを読み出すしかなくなり、レイテンシが増大
します。
HBMは、これを低価格で解決しようとするものです。
ルックアップテーブル全体をメインメモリーにロードしておき、それを利用
してアドレスの変換を行うわけです。ただし、コントローラー直結のDRAMの
方がレイテンシが少ないのはいうまでもありません。
なお、コントローラー直結のDRAMの場合、最大目的は、前述したようにルッ
クアップテーブルのロードにありますから、それが収まるだけの容量があれ
ば十分です。もちろん、余った部分は、それをライトスルーまたはライトバ
ックのキャッシュとして利用できますが通常は、ライトスルーで利用します。
>レイテンシ増大はあっても、DRAM容量に制限が無くて大幅に増やせるから、
>性能アップに繋がる、という事ですね。
若干、意味が違うように取られていると思われるので、補足いたします。
SSDの容量が増えると、管理しなければならないアドレスが増え、論理ア
ドレス（LBA）と物理アドレス（PBA）の対応に利用するテーブル（ルック
アップテーブル）の容量が大きくなります。
ルックアップテーブルが肥大化すると、LBAとPBAの変換のレイテンシが大
きくなることは推測できると思います。
DRAMは、通常、LBAとPBAの変換のレイテンシを減らすために利用されており、
変換に必要なルックアップテーブルをロードしているわけですが、DRAMレス
コントローラーの場合、これができません。そのため、コントローラー内に
小容量のSRAMを用意しておき、そこにルックアップテーブルの一部をキャッ
シュしたりしていますが、SRAMに必要なデータがない場合は、NANDに記録さ
れているルックアップテーブルを読み出すしかなくなり、レイテンシが増大
します。
HBMは、これを低価格で解決しようとするものです。
ルックアップテーブル全体をメインメモリーにロードしておき、それを利用
してアドレスの変換を行うわけです。ただし、コントローラー直結のDRAMの
方がレイテンシが少ないのはいうまでもありません。
なお、コントローラー直結のDRAMの場合、最大目的は、前述したようにルッ
クアップテーブルのロードにありますから、それが収まるだけの容量があれ
ば十分です。もちろん、余った部分は、それをライトスルーまたはライトバ
ックのキャッシュとして利用できますが通常は、ライトスルーで利用します。